Архив за месяц: Январь 2014

Rockchip представила чипсет RK3288

В соответствии с предварительным анонсированием, на выставке CES 2014 в Лас-Вегасе была представлена новая платформа от китайской компании Rockchip. Главной особенностью платформы ARM серии RK32xx является применение нового процессора с более высокой производительностью и более низким электропотреблением — Cortex-A12. Первым чипом в этой серии стал RK3288.

Фундаментом процессора Rockchip RK3288 являются четыре ядра Cortex-A12, выполненные по технологии 28 нм. Рабочая частота процессора стала 1,8 ГГц. Целый ряд усовершенствований в алгоритме обработки команд и оптимизации ядра дали 50%-ый прирост производительности RK3288 в сравнении с RK3188, в основе которого 4 ядра Cortex-A9.

Надо отметить, что новое ядро Cortex-A12 также как и Cortex-A9 базируется на успешной архитектуре ARMv7-A, что гарантирует программную совместимость. Кроме улучшения производительности и снижения энергопотребления A12 добавляет аппаратную поддержку виртуализации ОС и может адресовать до 1 терабайта физической памяти. Также RK3288 обеспечивает поддержку сетей 4G LTE. 

RK3288 использует в качестве графического процессора ARM Mali-T764. Это самый производительный на сегодня графический ускоритель для мобильной электроники, сравнимый по быстродействию с видеокартами для домашних ПК. Серия ARM Mali-T76х GPU была разработана с акцентом на высокую производительность, в то же время была сохранена высокая энергоэффективность. Новая серия дает улучшение на 400% по этим важным параметрам в сравнении с предыдущим поколением ARM Mali GPU (Mali- T604GPU) и на 500% эффективней наиболее распространенного Mali-400MP4.

Это означает, что эти великолепные визуальные эффекты в современных ПК играх уже в этом году мы сможем наблюдать на мобильных устройствах оснащенных RK3288. Mali-T76х GPU поддерживает все новые графические и программные интерфейсы GPU Compute (API), такие как Direct3D ® 11.1 уровня функция 11, OpenGL ® ES 3.0 * и OpenCL ™ 1.2 . Графический ускоритель поддерживает аппаратное декодирование H.265 в режиме реального времени с разрешением видео 4K х 2К . В дополнение к высокой производительности, Мали T76X также поддерживают GPGPU (General-purpose graphics processing units) для ускорения сложных и требующих большого объема вычислений алгоритмов или операции производимых ЦП.

Многие из ведущих мировых производителей, такие как Lenovo , Asus , Toshiba, TESCO и другие выразили свою заинтересованность в применении RK3288, а аналитики пророчат быстрое распространение нового поколения процессоров RK32xx. К примеру Китайский производитель планшетных компьютеров Vido уже объявил о выпуске новой модели Vido M12 на RK3288.

По материал сайта: http://bbs.imp3.net/

Автор: Дмитрий С. Ресурс: © Лучшая электроника по лучшей цене на U-GOOD.ru

При копировании ссылка на источник обязательна.

iwgTJo622oG253QWujkQwBw4wMDEqCkZZIV7in

MediaTek объявила о доступности универсальной микросхемы для LTE сетей

MediaTekMediaTek демонстрирует свою ​​первую платформу LTE модема в своем стенде на выставке CES 2014, микросхема MT6290 поддерживает LTE R9 , DC- HSPA + , W-CDMA , TD-SCDMA , EDGE и GSM / GPRS

 
Краткое описание основных характеристик:
 
модем LTE Rel9 Category 4 выполнен по технологии 28nm
• процессор основан на архитектуре Coresonic SIMT
• протокол стека Proven LTE получен от NTT DoCoMo
• Полная совместимость с MediaTek SOCs, в том числе и с новым восьмиядерным MT6592
• поставка первых коммерческих партий ожидается во 2-ом квартале 2014
 
MT6290 обеспечивает скорость передачи данных LTE на уровне 150Mbit на входящем канале и 50 Мбит на исходящем. Чип реализует режимы FDD и TDD ( Frequency Division Duplex и Time Division Duplex ) для максимально широкой совместимости с сетями мобильных операторов по всему миру. В дополнение к LTE, MT6290 также поддерживает DC- HSPA + , W-CDMA , TD-SCDMA , EDGE и радиотехнологию GSM / GPRS .

 
Чип поддерживающий передачу RF в этой платформе называется MT6169, он поддерживает до 8 основных RF входов (3 в высоком диапазоне , 2 в среднем, 3 в нижнем), плюс еще 8 дополнительных входов. RF чип поддерживает более 30 3GPP полос и настраивается для обеспечения потребностей мобильных операторов по всему миру.

«Мы рады представить нашу первую платформу LTE модема на выставке CES 2014 и наши усилия направлены развитие мирового рынка LTE устройств в сотрудничестве с нашими партнерами мобильных операторов. «, Сказал Чэн-Te Чжуан (Cheng-Te Chuang), глава подразделения технологии беспроводной связи и вице Президент MediaTek. «MT6290 является полностью совместимым с существующими в настоящее время 3G платформами SOCs от MediaTek, а также и с SOCs нового поколения с интегрированным LTE которые будут испытаны в течение 2014 года.»
 
Мохит Бушан (Mohit Bhushan) Вице президент и Глава MediaTek по корпоративному маркетингу в США, сообщил: «MediaTek поделился своими планами по развитию LTE со всеми операторами США, и реакция была потрясающей. В настоящее время готовимся сертифицировать MT6290 платформу для всех операторов США с последующим выпуском в продажу MT6290 в течении 2014 года».
 
Первая версия MT6290 уже отгружена OEM партнерам MediaTek и первые коммерческие устройства уже ожидаются во 2 квартале 2014 года.

iwgTJo622oG253QWujkQwBw4wMDEqCkZZIV7in

Микропузырьковая технология приходит в Diamond Spas

Топовый производитель американского рынка  Diamond Spas Co. производящий ванны и бассейны для дома и SPA салонов по индивидуальным проектам объявил о начале использования в своих изделиях новой перспективной микропузырьковой технологии ( Micro Bubbles Technology ) . Стоимость на ванны от этого производителя варьируются от $ 5,715 до $ 20,000 .

Компания  Diamond Spas Co. разместила информацию на своих страницах о новой технологии, которая появилась в банной отрасли. И заявила, что будет рада быть одним из первых изготовителей использующих микропузырьковые генераторы в своих ваннах.  Дополнительная система генерирования микропузырьков может быть установлена по требованию заказчика в любую из производимых ванн. Используемые генераторы создают в воде микропузырьки воздуха размером менее 10мкм, а размер 80% образованных пузырьков имеют диаметр менее 5 мкм.

MicroBubble size

Генерируемые микропузырьки имеют размер меньший, чем поры на коже человека, что позволяет с легкостью удалять загрязнения, оказывать легкое массажное действие и оказывать лечебное действие.

Размеры пор кожи и микропузыря

«Микро пузырьки делают кожу купальщика более чистой, чем при приеме обычный ванны,  удаляют токсины, оставляя кожу безупречно мягкой» — сказано на сайте производителя.

Микропузырьковая технология

Технология насыщения воды микропузырьками используемая в генераторах JoyHarbour родом из Японии. В интернете эту технологию можно встретить на английском как «microbubble». Рассмотрим в первом приближении, что же это такое microbubble и какую пользу может принести нам это изобретение?

Процесс создания microbubbles или правильнее микропузырьков происходит в водной основе из воздуха, кислорода О2 или углекислого газа СО2 . Обычно пузыри которые мы можем получить в воде редко имеют диаметр значительно меньше миллиметра, при этом, разумеется, такие пузыри быстро поднимаются на поверхность оставляя жидкость.  Когда же мы создаем микропузыри с помощью специального генератора максимальные размеры микропузырька не превышают 10мкм  и более того обычно диаметр бывает в районе одной тысячной миллиметра (1мкм = 0,001 мм).Таким образом диаметр нашего микропузырька в 100 раз меньше диаметра обычного пузырька. Имея столь малые размеры, микропузырьки долго остаются в воде и поднимаются к поверхности  очень медленно. Кроме этого пузырьки содержат в себе отрицательно заряженные частицы воздуха — анионы, в следствии чего пузырьки притягивают к себе небольшие частички загрязнений и выносят их на поверхность.

Возможности применения генераторов микропузырьков  в различных областях активно исследуется в последние годы, а в некоторых сферах деятельности они уже давно и успешно эксплуатируются. Сейчас уже  можно констатировать, что microbubble технология, созданная японскими учеными Университета города Тсукуба, является революционной и широко применяемой.

Углекислые ванны

Углекислые ванны

Наличие в генераторах микропузырьков возможности включения режима образования пузырьков на основе  СО2 позволяет принимать ванны  с высоким содержанием  диоксида углерода в домашних условиях. Эффективность процедуры принятия теплой ванны, в воде которой буквально растворена двуокись углерода, равноценна принятию углекислой ванны где нибудь в санатории в Кавминводах. Пользу от такой процедуры трудно переоценить. Во время приема такой ванны наш организм подвергается целому ряду полезных воздействий.

В углекислой минеральной воде на наше тело оказывают влияние несколько факторов: механический, термический, химический. И каждый из них имеет свои специфические особенности.

На кожу погруженного в такую воду человека действует двухфазная среда вода-газ. Отрывающиеся от поверхности кожи пузырьки газа раздражают низкопороговые механорецепторы кожи, в результате чего формируется поток афферентной импульсации в вышележащие структуры головного мозга, определяющий формирование ощущений «тактильного массажа». В силу значительной разности индифферентных температур воды (35-36 °С) и диоксида углерода (12-13 °С) газ в пузырьках нагревается. Они образуют на теле человека термозащитный газовый слой, который затрудняет непосредственный теплообмен между минеральной водой и организмом путем теплопроводности. Тепловой поток в организм из углекислой воды в 1,4 раз больше, чем из пресной. В результате усиления действия термического фактора у человека появляется ощущение «жара». Изменение функциональных свойств термочувствительных структур кожи приводит к извращению всех видов кожной чувствительности. У принимающего ванну возникает иллюзия тепла в углекислой воде температуры 32 °С и выше и иллюзия холода при температуре воды 25-30 °С.

Значительный поток теплоты в организм вызывает расширение сосудов кожи, усиление кровотока в микроциркуляторном русле и гиперемию кожи. Реакции сосудов носят фазный характер — кратковременный спазм сосудов сменяется их продолжительным расширением, раскрытием нефункционирующих капилляров и улучшением микроциркуляции. При этом повышение температуры «оболочки» тела приводит к снижению общего периферического сопротивления, усилению почечного кровотока и клубочковой фильтрации.

Благодаря выраженной липоидотропности диоксид углерода легко проникает в организм через дериваты кожи (со скоростью 20-300 мл/мин). Четверть проникшего в организм диоксида углерода депонируется в коже, а остальной попадает в сосудистое русло, изменяя емкость лабильного бикарбонатного буфера. Быстрая гидратация С02 в каротидных хеморецепторах и повышение его напряжения в центральных хемосенсорных структурах рострального отдела среднего мозга сопровождаются накоплением в них угольной кислоты, диссоциация которой ведет к образованию избытка протонов. Следующее за этим уменьшение рН внутри хемосенсорных клеток приводит к временной перестройке работы Са2+/2Н+-антипорта митохондрий, сдвигу протонного потенциала на их мембранах и усилению клеточного дыхания. Афферентные импульсы от хеморецепторов, направляясь в центры продолговатого мозга, вызывают активацию процессов возбуждения в коре головного мозга и выраженные висцеральные реакции. Под влиянием диоксида углерода снижаются гиперсимпатикотонические и повышаются парасимпатические влияния на сердце. Всю статью можно прочитать на сайте http://www.grandars.ru/college/medicina/uglekislye-vanny.html

Лечебные эффекты - гипотензивный, кардиотонический, противовоспалительный, метаболический, тренирующий.

Показания углекислых ванн

Показания - заболевания сердечно-сосудистой системы (ишемическая болезнь сердца, стенокардия напряжения 1 и II ФК, гипертоническая болезнь I и II стадий, постинфарктный (3-6 месяцев), миокардитический и атеросклеротический кардиосклероз, начальные явления атеросклероза), заболевания органов дыхания (эмфизема легких, пневмосклероз, бронхиальная астма в стадии ремиссии), функциональные расстройства центральной нервной системы (неврастения, сексуальный невроз, вегетативный невроз, постинсультный гемипарез), хронические воспалительные заболевания женских половых органов (аднексит, сальпингоофорит), функциональная недостаточность яичников, климакс, нарушения обмена веществ (ожирение I и II степеней, подагра в стадии ремиссии), легкая форма сахарного диабета, нефросклероз.

Противопоказания углекислых ванн

Противопоказания - ишемическая болезнь сердца, стенокардия напряжения IV ФК с нестабильной стенокардией или нарушениями сердечного ритма и проводимости (мерцательная аритмия, атриовентрикулярная блокада III степени, экстрасистолия высоких градаций), митральные пороки сердца, сердечная недостаточность II и III стадий, гипертиреоз, плохая переносимость лечебной среды (потливость, головокружение и проч.) при приеме ванн, хроническая почечная недостаточность II и III стадий.

Природные источники многочисленны и разнообразны. Такие воды широко применяют на курортах Кавказских Минеральных Вод, Дарасун (Россия), Боржоми (Грузия), Бад-Эльстери Бад-Эмс (Германия), Карлови-Вари (Чехия), Саратога-Спрингс (США), Виши (Франция) и др.

Искусственные ванны готовят с применением аппарата для насыщения воды газом АН-9. Диоксид углерода из баллона с редуктором проходит через аппарат, в который одновременно подают холодную водопроводную воду. При помощи шланга насыщенная С02 вода поступает в ванну через наконечник с большим числом отверстий, расположенный на ее дне. За рубежом используют аппараты для приготовления ванн ЕНТ и др. Искусственные углекислые ванны также приготовляют химическим методом вытеснения углекислоты из карбоната или гидрокарбоната натрия (Н2С03 или NaHC03) соляной или серной кислотами или кислыми солями.

Методика. Перед проведением процедуры в ванну, предварительно заполненную на треть горячей водой (70-80 л), подают насыщенную диоксидом углерода воду из аппарата АН-9, затем добавляют холодную воду и доводят до необходимой температуры и объема. Больной погружается в ванну до уровня сосков.

Дозирование ванн осуществляют по концентрации диоксида углерода, температуре воды, ее объему и длительности процедуры.

Продолжительность проводимых через день ванн увеличивают с 5-7 мин до 12- 15 мин в конце курса лечения. На курс лечения назначают 12-15 ванн. Повторные курсы углекислых ванн проводят через 3-4 месяца.